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Référence fabricant | MR25H256CDFR |
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Numéro de pièce future | FT-MR25H256CDFR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MR25H256CDFR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | 40MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-VDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H256CDFR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MR25H256CDFR-FT |
FT93C66A-USR-B
Fremont Micro Devices Ltd
FT93C56A-USR-B
Fremont Micro Devices Ltd
FT24C32A-USR-B
Fremont Micro Devices Ltd
FT24C04A-USG-B
Fremont Micro Devices Ltd
FT24C32A-USG-B
Fremont Micro Devices Ltd
FT24C02A-USR-B
Fremont Micro Devices Ltd
FT24C16A-USG-B
Fremont Micro Devices Ltd
FT24C16A-USR-B
Fremont Micro Devices Ltd
FT24C08A-USG-B
Fremont Micro Devices Ltd
FT24C04A-USR-B
Fremont Micro Devices Ltd
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
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EP4CE115F23I8L
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LFXP3E-4Q208I
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LCMXO2-4000HC-6FG484I
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LCMXO3L-640E-6MG121I
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EP3SE110F780C2N
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EP20K100BC356-2N
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EP4SGX360FF35C4
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