maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / FT24C32A-USR-B
Référence fabricant | FT24C32A-USR-B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FT24C32A-USR-B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FT24C32A-USR-B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 32Kb (4K x 8) |
Fréquence d'horloge | 800kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 700ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT24C32A-USR-B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FT24C32A-USR-B-FT |
GD25WD05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D05CKIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CKIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D80CKIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited