maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / GD25WD10CEIGR
Référence fabricant | GD25WD10CEIGR |
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Numéro de pièce future | FT-GD25WD10CEIGR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GD25WD10CEIGR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-XFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-USON (2x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25WD10CEIGR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GD25WD10CEIGR-FT |
IDT71016S12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71T016SA12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71T016SA15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71T016SA15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71T016SA20PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71T016SA20PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416S20PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416S20PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel