maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / MP1006G-G
Référence fabricant | MP1006G-G |
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Numéro de pièce future | FT-MP1006G-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MP1006G-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, MP-8 |
Package d'appareils du fournisseur | MP8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MP1006G-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MP1006G-G-FT |
GBJ2010
Diodes Incorporated
GBJ25005
Diodes Incorporated
GBJ2501
Diodes Incorporated
GBJ2502
Diodes Incorporated
GBJ2504
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GBJ2506
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GBJ2510
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GBJ6005
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GBJ601
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GBJ602
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XC6SLX4-3TQG144I
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A1225A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB6R3F43C2LN
Intel
EP3SE110F1152C3N
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XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
EPF8636ALC84-4N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel