Référence fabricant | GBJ2504 |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ2504 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ2504 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2504 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ2504-FT |
KBP005G
Diodes Incorporated
KBP204G
Diodes Incorporated
KBP210G
Diodes Incorporated
KBP201G
Diodes Incorporated
KBP04G
Diodes Incorporated
KBP202G
Diodes Incorporated
KBP06G
Diodes Incorporated
KBP2005G
Diodes Incorporated
KBP208G
Diodes Incorporated
KBP08G
Diodes Incorporated
LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P400-2FG256I
Microsemi Corporation
A1425A-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C8
Intel
EP4CE30F23C8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I2N
Intel
5SGXMA7H2F35C1N
Intel
LCMXO640E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF33C7N
Intel