maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / MP1001G-G
Référence fabricant | MP1001G-G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MP1001G-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MP1001G-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, MP-8 |
Package d'appareils du fournisseur | MP8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MP1001G-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MP1001G-G-FT |
GBJ2004
Diodes Incorporated
GBJ2006
Diodes Incorporated
GBJ2010
Diodes Incorporated
GBJ25005
Diodes Incorporated
GBJ2501
Diodes Incorporated
GBJ2502
Diodes Incorporated
GBJ2504
Diodes Incorporated
GBJ2506
Diodes Incorporated
GBJ2510
Diodes Incorporated
GBJ6005
Diodes Incorporated
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel