maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / MP1001G-G
Référence fabricant | MP1001G-G |
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Numéro de pièce future | FT-MP1001G-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MP1001G-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, MP-8 |
Package d'appareils du fournisseur | MP8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MP1001G-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MP1001G-G-FT |
GBJ2004
Diodes Incorporated
GBJ2006
Diodes Incorporated
GBJ2010
Diodes Incorporated
GBJ25005
Diodes Incorporated
GBJ2501
Diodes Incorporated
GBJ2502
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GBJ2504
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GBJ2506
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GBJ2510
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
A54SX32A-FGG484
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AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
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5SGSMD5K1F40C2L
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EP4SGX290KF43I4N
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EP3SL200F1152C3N
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XC4VFX100-10FF1152C
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XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
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