maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / MP10005G-G
Référence fabricant | MP10005G-G |
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Numéro de pièce future | FT-MP10005G-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MP10005G-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, MP-8 |
Package d'appareils du fournisseur | MP8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MP10005G-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MP10005G-G-FT |
GBJ2502
Diodes Incorporated
GBJ2504
Diodes Incorporated
GBJ2506
Diodes Incorporated
GBJ2510
Diodes Incorporated
GBJ6005
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GBJ601
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GBJ602
Diodes Incorporated
GBJ604
Diodes Incorporated
GBJ606
Diodes Incorporated
GBJ610
Diodes Incorporated
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel