maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MMBTH34
Référence fabricant | MMBTH34 |
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Numéro de pièce future | FT-MMBTH34 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBTH34 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Fréquence - Transition | 500MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | - |
Puissance - Max | 225mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 20mA, 2V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH34 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBTH34-FT |
BFP640E6327BTSA1
Infineon Technologies
BFP650
Infineon Technologies
BFP650E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFP740E6327HTSA1
Infineon Technologies
BGB 540 E6327
Infineon Technologies
BGR405H6327XTSA1
Infineon Technologies
BGR420H6327XTSA1
Infineon Technologies
MBC13900NT1
NXP USA Inc.
MBC13900T1
NXP USA Inc.
NE52418-A
CEL
EPF10K10ATC144-3
Intel
LFXP6C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
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LFEC10E-4Q208I
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EP2AGX45DF29C5N
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EP1S40F1508C7N
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