maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MMBTH10RG
Référence fabricant | MMBTH10RG |
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Numéro de pièce future | FT-MMBTH10RG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBTH10RG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Fréquence - Transition | 450MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | - |
Puissance - Max | 225mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 1mA, 6V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10RG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBTH10RG-FT |
BFP760H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP840ESDH6327XTSA1
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BFP840FESDH6327XTSA1
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BFP420H6433XTMA1
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BFP420H6740XTSA1
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XC2S150-5FG256C
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Microsemi Corporation
EP20K400CF672C9
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5CGXFC5C6F27C6N
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5AGXBA1D6F27C6N
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XC6VHX380T-3FFG1154C
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XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME3H3F35I4N
Intel