maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFP196WNH6327XTSA1
Référence fabricant | BFP196WNH6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BFP196WNH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFP196WNH6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 7.5GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.3dB @ 900MHz |
Gain | 9.7dB |
Puissance - Max | 700mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-82A, SOT-343 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT343-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFP196WNH6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFP196WNH6327XTSA1-FT |
ZTX325STZ
Diodes Incorporated
KSP10TA
ON Semiconductor
2N5770_D26Z
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2N5770_D27Z
ON Semiconductor
2N5770_D74Z
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BF240_D74Z
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BF240_J35Z
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XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQG208I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
Intel
EPF10K200EBC600-2
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5SGXEA5N2F40C3N
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10CX220YF780E5G
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5SGXEA9N3F45I3L
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5SGXEB9R2H43I3N
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LCMXO2-7000HC-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation