maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MMBD7000-HE3-18
Référence fabricant | MMBD7000-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-MMBD7000-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MMBD7000-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD7000-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBD7000-HE3-18-FT |
BAV23C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS70-06-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54A-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54A-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS70-04-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXMA3E3H29I3LN
Intel
EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
Intel