maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAS70-06-HE3-08
Référence fabricant | BAS70-06-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS70-06-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS70-06-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 70V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 15mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS70-06-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS70-06-HE3-08-FT |
VS-MBRB20100CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB20100CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB20100CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2035CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2045CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2045CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2045CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTGPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTGTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTGTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel