maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MMBD4448DW-7
Référence fabricant | MMBD4448DW-7 |
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Numéro de pièce future | FT-MMBD4448DW-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBD4448DW-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2.5µA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448DW-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBD4448DW-7-FT |
BAS40W-05-7
Diodes Incorporated
BAS40W-06-7
Diodes Incorporated
BAS70W-04-7
Diodes Incorporated
BAS70W-05-7
Diodes Incorporated
BAS70W-06-7
Diodes Incorporated
BAT54AW-7
Diodes Incorporated
BAT54CW-7
Diodes Incorporated
BAV70W-7
Diodes Incorporated
BAV99W-7
Diodes Incorporated
BAW56W-7
Diodes Incorporated
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
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10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
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EPF8636AQC160-2
Intel