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Référence fabricant | BAS40W-06-7 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS40W-06-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS40W-06-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 40mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 30V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40W-06-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS40W-06-7-FT |
SR16100PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR16150PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR16150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1620PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1630PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1630PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1640PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1640PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1650PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1650PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel