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Référence fabricant | MLP2016V1R5MT |
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Numéro de pièce future | FT-MLP2016V1R5MT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLP |
MLP2016V1R5MT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.15A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 175 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2016V1R5MT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLP2016V1R5MT-FT |
MLZ2012DR22DTD25
TDK Corporation
MLZ2012M1R0HTD25
TDK Corporation
MLZ2012M1R5HT000
TDK Corporation
MLZ2012M1R5HTD25
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MLZ2012M220WT000
TDK Corporation
MLZ2012M2R2HTD25
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MLZ2012M3R3HTD25
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MLZ2012M470WTD25
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MLZ2012M6R8HTD25
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MLZ2012N101LTD25
TDK Corporation
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
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10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel