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Référence fabricant | MLP2016H2R2MT |
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Numéro de pièce future | FT-MLP2016H2R2MT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLP |
MLP2016H2R2MT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.2A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 137.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2016H2R2MT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLP2016H2R2MT-FT |
MLZ2012A2R2WTD25
TDK Corporation
MLZ2012A3R3WTD25
TDK Corporation
MLZ2012DR10DT000
TDK Corporation
MLZ2012DR10DTD25
TDK Corporation
MLZ2012DR22DT000
TDK Corporation
MLZ2012DR22DTD25
TDK Corporation
MLZ2012M1R0HTD25
TDK Corporation
MLZ2012M1R5HT000
TDK Corporation
MLZ2012M1R5HTD25
TDK Corporation
MLZ2012M220WT000
TDK Corporation
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel