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Référence fabricant | MLF2012DR47MT |
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Numéro de pièce future | FT-MLF2012DR47MT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLF |
MLF2012DR47MT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 470nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 200mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 500 mOhm Max |
Q @ Freq | 25 @ 25MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 160MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.057" (1.45mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLF2012DR47MT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLF2012DR47MT-FT |
MLF2012DR12JTD25
TDK Corporation
MLF2012DR12KTD25
TDK Corporation
MLF2012DR12MT000
TDK Corporation
MLF2012DR12MTD25
TDK Corporation
MLF2012DR15JT000
TDK Corporation
MLF2012DR15JTD25
TDK Corporation
MLF2012DR15MT000
TDK Corporation
MLF2012DR15MTD25
TDK Corporation
MLF2012DR18JT000
TDK Corporation
MLF2012DR18JTD25
TDK Corporation
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel