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Référence fabricant | MLF2012DR15MT000 |
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Numéro de pièce future | FT-MLF2012DR15MT000 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLF |
MLF2012DR15MT000 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 150nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 300mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 200 mOhm Max |
Q @ Freq | 20 @ 25MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 320MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.041" (1.05mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLF2012DR15MT000 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLF2012DR15MT000-FT |
MLF2012DR68M
TDK Corporation
MLF2012DR82JTD25
TDK Corporation
MLF2012DR82KT000
TDK Corporation
MLF2012DR82MT000
TDK Corporation
MLF2012E120M
TDK Corporation
MLF2012E6R8KT000
TDK Corporation
MLF2012E6R8KTD25
TDK Corporation
MLF2012E6R8M
TDK Corporation
MLF2012E8R2KTD25
TDK Corporation
MLF2012E8R2M
TDK Corporation
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel