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Référence fabricant | MLF2012E8R2M |
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Numéro de pièce future | FT-MLF2012E8R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLF |
MLF2012E8R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 8.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 15mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 700 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 4MHz |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 4MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.057" (1.45mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLF2012E8R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLF2012E8R2M-FT |
MLG0402P3N1BT000
TDK Corporation
MLG0402P3N2BT000
TDK Corporation
MLG0402P3N3BT000
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MLG0402P3N3ST000
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MLG0402P3N4BT000
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MLG0402P3N5BT000
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MLG0402P3N6BT000
TDK Corporation
MLG0402P3N6ST000
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MLG0402P3N7BT000
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MLG0402P3N8BT000
TDK Corporation
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
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M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
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