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Référence fabricant | MKE38RK600DFELB-TRR |
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Numéro de pièce future | FT-MKE38RK600DFELB-TRR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
MKE38RK600DFELB-TRR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 44A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS-SMPD™.B |
Paquet / caisse | 9-SMD Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MKE38RK600DFELB-TRR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MKE38RK600DFELB-TRR-FT |
JAN2N7236U
Microsemi Corporation
JANSF2N7383
Microsemi Corporation
JANSR2N7261U
Microsemi Corporation
JANSR2N7262U
Microsemi Corporation
JANSR2N7268U
Microsemi Corporation
JANSR2N7269
Microsemi Corporation
JANSR2N7269U
Microsemi Corporation
JANSR2N7380
Microsemi Corporation
JANSR2N7381
Microsemi Corporation
JANSR2N7389
Microsemi Corporation
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel