maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / MJE5851G
Référence fabricant | MJE5851G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MJE5851G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SWITCHMODE™ |
MJE5851G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 3A, 8A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 5A, 5V |
Puissance - Max | 80W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE5851G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MJE5851G-FT |
2SD1624S-TD-E
ON Semiconductor
2SA1419T-TD-E
ON Semiconductor
2SC3649T-TD-H
ON Semiconductor
2SB1123T-TD-E
ON Semiconductor
2SA2202-TD-E
ON Semiconductor
2SD1624T-TD-E
ON Semiconductor
2SA1419T-TD-H
ON Semiconductor
2SB1122S-TD-E
ON Semiconductor
2SB1302S-TD-E
ON Semiconductor
2SB1122T-TD-E
ON Semiconductor
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
5SGXMA7H2F35C3
Intel
EP2SGX90EF1152I4
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2SG
Intel
10AX022E3F29I1HG
Intel