maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SB1122T-TD-E
Référence fabricant | 2SB1122T-TD-E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2SB1122T-TD-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SB1122T-TD-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 2V |
Puissance - Max | 500mW |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | PCP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1122T-TD-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SB1122T-TD-E-FT |
2SB1215S-E
ON Semiconductor
2SA1593T-E
ON Semiconductor
2SC4027T-H
ON Semiconductor
2SC4135T-E
ON Semiconductor
2SB1203S-E
ON Semiconductor
2SB1203S-H
ON Semiconductor
2SD1803S-H
ON Semiconductor
2SA2169-E
ON Semiconductor
2SD1803T-E
ON Semiconductor
2SB1202S-E
ON Semiconductor
EPF10K10ATC144-1N
Intel
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SFE144C8G
Intel
5AGXMA3D4F27C5N
Intel
A42MX16-PL84A
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM81TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29E1HG
Intel