maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / MJE18008G
Référence fabricant | MJE18008G |
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Numéro de pièce future | FT-MJE18008G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SWITCHMODE™ |
MJE18008G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 450V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 900mA, 4.5V |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 14 @ 1A, 5V |
Puissance - Max | 125W |
Fréquence - Transition | 13MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE18008G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MJE18008G-FT |
2SC5964-TD-H
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Microsemi Corporation
EP3C5U256C6N
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EP1K30FC256-1N
Intel
10M50DCF672C7G
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XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29I1SG
Intel
EP4SGX70HF35C4N
Intel