maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SC3649T-TD-E
Référence fabricant | 2SC3649T-TD-E |
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Numéro de pièce future | FT-2SC3649T-TD-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SC3649T-TD-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1.5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
Puissance - Max | 500mW |
Fréquence - Transition | 120MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | PCP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC3649T-TD-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SC3649T-TD-E-FT |
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