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MJ11012G Image

ON Semiconductor MJ11012G

Numéro de pièce MFG
MJ11012G
quantité disponible
78540 Pièces
Prix de référence
USD 5.824
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
MJ11012G.pdf
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MJ11012G Caractéristiques

Référence fabricant MJ11012G
Numéro de pièce future FT-MJ11012G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MJ11012G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 300mA, 30A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 1mA
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 20A, 5V
Puissance - Max 200W
Fréquence - Transition 4MHz
Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-204AA, TO-3
Package d'appareils du fournisseur TO-204 (TO-3)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MJ11012G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MJ11012G-FT

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