maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N5195G
Référence fabricant | 2N5195G |
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Numéro de pièce future | FT-2N5195G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N5195G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 4A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 1A, 4A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1.5A, 2V |
Puissance - Max | 40W |
Fréquence - Transition | 2MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-225AA, TO-126-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-225AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5195G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N5195G-FT |
2SB1321A0A
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XCKU035-L1FBVA676I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I2LN
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XC2VP20-5FFG896I
Xilinx Inc.
EP3CLS70F780C8N
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