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Référence fabricant | MG600Q2YS60A |
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Numéro de pièce future | FT-MG600Q2YS60A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IGBTMOD™ |
MG600Q2YS60A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600A |
Puissance - Max | 4300W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 600A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 41nF @ 10V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -20°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG600Q2YS60A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MG600Q2YS60A-FT |
GA400TD25S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB90SA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB90DA60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT175DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA250SA60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL015Y120H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETF150Y65U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETF075Y60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ENQ030L120S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50MT060WHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S700A-4FGG484C
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C10F256I7N
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC7VX690T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C4L
Intel