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VS-GB90SA120U Image

Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB90SA120U

Numéro de pièce MFG
VS-GB90SA120U
quantité disponible
61900 Pièces
Prix de référence
USD 52.995104
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
Brève description
- TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
VS-GB90SA120U.pdf
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VS-GB90SA120U Caractéristiques

Référence fabricant VS-GB90SA120U
Numéro de pièce future FT-VS-GB90SA120U
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
VS-GB90SA120U Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT NPT
Configuration Single
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 149A
Puissance - Max 862W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 75A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 250µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce -
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SOT-227-4
Package d'appareils du fournisseur SOT-227
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GB90SA120U Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange VS-GB90SA120U-FT

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