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Référence fabricant | MG12200D-BN2MM |
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Numéro de pièce future | FT-MG12200D-BN2MM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MG12200D-BN2MM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 290A |
Puissance - Max | 1050W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 200A (Typ) |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | D3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12200D-BN2MM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MG12200D-BN2MM-FT |
APTGL180A1202G
Microsemi Corporation
APTGL120TA120TPG
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APTGF90H60T3G
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APTGF90DH60T3G
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APTGF90A60T1G
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APTGF75H120TG
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APTGF75DSK120TG
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APTGF50X60T3G
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XC2S150-6FGG456C
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A42MX36-3BG272I
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A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
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XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel