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APTGFQ25H120T2G Image

Microsemi Corporation APTGFQ25H120T2G

Numéro de pièce MFG
APTGFQ25H120T2G
quantité disponible
54440 Pièces
Prix de référence
USD 47.552
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- IGBT 1200V 40A 227W MODULE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTGFQ25H120T2G.pdf
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APTGFQ25H120T2G Caractéristiques

Référence fabricant APTGFQ25H120T2G
Numéro de pièce future FT-APTGFQ25H120T2G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTGFQ25H120T2G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type IGBT NPT and Fieldstop
Configuration Full Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 40A
Puissance - Max 227W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 250µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 2.02nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse SP2
Package d'appareils du fournisseur SP2
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGFQ25H120T2G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTGFQ25H120T2G-FT

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