maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / APT60GA60JD60
Référence fabricant | APT60GA60JD60 |
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Numéro de pièce future | FT-APT60GA60JD60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 8™ |
APT60GA60JD60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | PT |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 112A |
Puissance - Max | 356W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 275µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 8.01nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT60GA60JD60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT60GA60JD60-FT |
A2C35S12M3-F
STMicroelectronics
A2C25S12M3-F
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A2C25S12M3
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A1P25S12M3-F
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