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Référence fabricant | MF100U12F2-BP |
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Numéro de pièce future | FT-MF100U12F2-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MF100U12F2-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.58V @ 100A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 135ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | F2 Module |
Package d'appareils du fournisseur | F2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MF100U12F2-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MF100U12F2-BP-FT |
1N5814
Microsemi Corporation
1N5812
Microsemi Corporation
1N5811TR
Microsemi Corporation
1N5806US
Microsemi Corporation
1N5616
Microsemi Corporation
1N5802
Microsemi Corporation
1N5804
Microsemi Corporation
1N5617
Microsemi Corporation
1N5614
Microsemi Corporation
1N5620
Microsemi Corporation
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
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EP4SE530H40I3N
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Xilinx Inc.
APA075-TQG100
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LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
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EP1SGX25DF1020C6
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