Référence fabricant | 1N5617 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5617 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5617 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.6V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 35pF @ 12V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | A, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5617 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5617-FT |
APT20SCD120S
Microsemi Corporation
APT30S20SG
Microsemi Corporation
APT20SCD120B
Microsemi Corporation
CDS5711UR-1
Microsemi Corporation
LSM145 MELF
Microsemi Corporation
JANS1N5809
Microsemi Corporation
JANS1N5552
Microsemi Corporation
1N5809
Microsemi Corporation
APTDF500U40G
Microsemi Corporation
APTDF500U20G
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel