maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MDS1100
Référence fabricant | MDS1100 |
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Numéro de pièce future | FT-MDS1100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDS1100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 65V |
Fréquence - Transition | 1.03GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | 8.9dB |
Puissance - Max | 8750W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100A |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 55TU-1 |
Package d'appareils du fournisseur | 55TU-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDS1100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDS1100-FT |
HFA3128RZ96
Renesas Electronics America Inc.
BFQ790H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFQ19SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFQ 19S E6327
Infineon Technologies
BFP650FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP540FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP740FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP740FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP420FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP405FH6327XTSA1
Infineon Technologies
A54SX08A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A1415A-VQG100C
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C4L
Intel
5SGXMB9R3H43C2LN
Intel
5SGXMA9K2H40C3N
Intel
A42MX09-1PQG160I
Microsemi Corporation
10AX115N4F45E3SG
Intel
EP1S40F1020C7N
Intel