maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFP740FESDH6327XTSA1
Référence fabricant | BFP740FESDH6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BFP740FESDH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFP740FESDH6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 4.7V |
Fréquence - Transition | 47GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz |
Gain | 9dB ~ 31dB |
Puissance - Max | 160mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 25mA, 3V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 45mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | 4-TSFP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFP740FESDH6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFP740FESDH6327XTSA1-FT |
BFG540W,115
NXP USA Inc.
BLT81,115
NXP USA Inc.
BFU590GX
NXP USA Inc.
BFG35,115
NXP USA Inc.
BFU580GX
NXP USA Inc.
BFG135,115
NXP USA Inc.
BFG31,115
NXP USA Inc.
BFG541,115
NXP USA Inc.
BFG94,115
NXP USA Inc.
BFG97,115
NXP USA Inc.
LFE2M100SE-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C6
Intel
5SGSED6K3F40I3L
Intel
EP4SGX530KH40C2
Intel
AGL600V2-CS281I
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196
Microsemi Corporation
LFXP6C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-2NGZ
Intel