maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MDMA110P1600TG
Référence fabricant | MDMA110P1600TG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MDMA110P1600TG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDMA110P1600TG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 110A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.18V @ 110A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 1600V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-240AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-240AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDMA110P1600TG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDMA110P1600TG-FT |
MBRB20H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2535CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2535CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
AT6002-2AC
Microchip Technology
5SGSED8N1F45C2L
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35C3NES
Intel