maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB2535CTHE3_A/P
Référence fabricant | MBRB2535CTHE3_A/P |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB2535CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB2535CTHE3_A/P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 12.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 820mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 35V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB2535CTHE3_A/P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB2535CTHE3_A/P-FT |
JANTXV1N7039CCT1
Microsemi Corporation
LQA32B300C
Power Integrations
LX7710MDWC-Q
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XC3S1400A-4FGG676C
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AGLN060V2-CSG81
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APA600-BG456I
Microsemi Corporation
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EP4SE820H35C3N
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XC5VLX110-2FFG1153I
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XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
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EP1S30F780C5N
Intel