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Référence fabricant | MDK950-16N1W |
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Numéro de pièce future | FT-MDK950-16N1W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDK950-16N1W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 950A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 18µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1600V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDK950-16N1W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDK950-16N1W-FT |
MBRB20H50CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H50CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2535CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2535CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel