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Référence fabricant | MCP87090T-U/LC |
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Numéro de pièce future | FT-MCP87090T-U/LC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MCP87090T-U/LC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 48A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.7V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | +10V, -8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 12.5V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PDFN (3x3) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCP87090T-U/LC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MCP87090T-U/LC-FT |
PSMN7R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN7R5-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN8R0-30YL,115
NXP USA Inc.
PSMN8R0-30YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN8R2-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN8R5-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN8R7-100YSFX
Nexperia USA Inc.
PSMN9R0-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN9R0-30YL,115
NXP USA Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel