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Référence fabricant | MCH6337-TL-W |
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Numéro de pièce future | FT-MCH6337-TL-W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MCH6337-TL-W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-MCPH |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCH6337-TL-W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MCH6337-TL-W-FT |
DMN4036LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMNH4005SCT
Diodes Incorporated
DMNH45M7SCT
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Diodes Incorporated
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
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A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
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5SGXEA5K3F35C2L
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XC5VLX50-2FFG1153C
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XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel