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Référence fabricant | MC10SX1130DR2G |
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Numéro de pièce future | FT-MC10SX1130DR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MC10SX1130DR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Linear |
Topologie | - |
Commutateur interne | Yes |
Nombre de sorties | 1 |
Tension - Alimentation (Min) | -5.2V |
Tension - Alimentation (Max) | 5V |
Tension - sortie | - |
Courant - Sortie / Canal | 100mA |
La fréquence | - |
Atténuation | - |
Applications | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MC10SX1130DR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MC10SX1130DR2G-FT |
ISL1904FAZ-TK
Renesas Electronics America Inc.
AS1109-BSST
ams
TB62777FNG,C8,EL
Toshiba Semiconductor and Storage
AS1109-BSSU
ams
BU8770AFV-E2
Rohm Semiconductor
MAX6968AAE+T
Maxim Integrated
ISL1903FAZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL1903FAZ-T
Renesas Electronics America Inc.
ISL1903FAZ-T7A
Renesas Electronics America Inc.
ISL1903FAZ-TK
Renesas Electronics America Inc.
XC7A75T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
EP20K200EFC672-1
Intel
EP3SE260F1517C3N
Intel
10M40SCE144C8G
Intel
5SGSED8N1F45I2N
Intel
XC6VLX75T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FFG1152I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG676
Microsemi Corporation
LFXP10E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation