maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRT60020L
Référence fabricant | MBRT60020L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBRT60020L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRT60020L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 300A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 580mV @ 300A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 20V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT60020L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRT60020L-FT |
MURT10010
GeneSiC Semiconductor
MURT10010R
GeneSiC Semiconductor
MURT10020
GeneSiC Semiconductor
MURT10020R
GeneSiC Semiconductor
MURT10040
GeneSiC Semiconductor
MURT10040R
GeneSiC Semiconductor
MURT10060
GeneSiC Semiconductor
MURT10060R
GeneSiC Semiconductor
MURT20005
GeneSiC Semiconductor
MURT20005R
GeneSiC Semiconductor
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel