maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURT10040R
Référence fabricant | MURT10040R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MURT10040R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MURT10040R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | - |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 50A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 90ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT10040R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURT10040R-FT |
MBRT30045
GeneSiC Semiconductor
MBRT30045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30060
GeneSiC Semiconductor
MBRT30060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30080
GeneSiC Semiconductor
MBRT30080R
GeneSiC Semiconductor
MBRT400100R
GeneSiC Semiconductor
MBRT400150
GeneSiC Semiconductor
MBRT400150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40020
GeneSiC Semiconductor
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel