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Référence fabricant | MBRT600200R |
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Numéro de pièce future | FT-MBRT600200R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRT600200R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 300A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 300A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT600200R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRT600200R-FT |
GSXF120A100S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD080A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD030A010S1-D3
Global Power Technologies Group
LCMXO2-4000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC2S150-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
5SGXEABN3F45C4N
Intel
XC7K355T-1FF901C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel