maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRT30035R
Référence fabricant | MBRT30035R |
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Numéro de pièce future | FT-MBRT30035R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRT30035R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 300A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 750mV @ 150A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 20V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT30035R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRT30035R-FT |
GSXD050A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD080A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A020S1-D3
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GSXD030A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF030A100S1-D3
Global Power Technologies Group
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel