maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRT120150
Référence fabricant | MBRT120150 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBRT120150 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRT120150 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 60A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT120150 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRT120150-FT |
GSXF030A120S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF060A060S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS030A120S-D4
Global Power Technologies Group
GHXS030A120S-D3
Global Power Technologies Group
GDP48Y060B
Global Power Technologies Group
FST16035
GeneSiC Semiconductor
FST100100
GeneSiC Semiconductor
FST100150
GeneSiC Semiconductor
FST10020
GeneSiC Semiconductor
FST100200
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel