maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GHXS030A120S-D3
Référence fabricant | GHXS030A120S-D3 |
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Numéro de pièce future | FT-GHXS030A120S-D3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GHXS030A120S-D3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 30A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GHXS030A120S-D3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GHXS030A120S-D3-FT |
IDW30G120C5BFKSA1
Infineon Technologies
IDW40G120C5BFKSA1
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IDW60C65D1XKSA1
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IDW20G120C5BFKSA1
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IDW80C65D2XKSA1
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IDW20C65D2XKSA1
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IDW80C65D1XKSA1
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IDW20G65C5BXKSA1
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IDW24G65C5BXKSA1
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LCMXO2-1200ZE-1TG100C
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XC4005E-4PQ208I
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M2GL090-1FCSG325I
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XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
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EP2SGX60EF1152I4N
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A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel