maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GHXS030A120S-D3
Référence fabricant | GHXS030A120S-D3 |
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Numéro de pièce future | FT-GHXS030A120S-D3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GHXS030A120S-D3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 30A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GHXS030A120S-D3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GHXS030A120S-D3-FT |
IDW30G120C5BFKSA1
Infineon Technologies
IDW40G120C5BFKSA1
Infineon Technologies
IDW60C65D1XKSA1
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IDW20G120C5BFKSA1
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IDW20C65D2XKSA1
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IDW80C65D1XKSA1
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IDW20S120FKSA1
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IDW24G65C5BXKSA1
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LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
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Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
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EP3SL70F780C4
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10AX032E1F27I1HG
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EP20K200EQI208-3
Intel