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Référence fabricant | MBRS20H100CT MNG |
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Numéro de pièce future | FT-MBRS20H100CT MNG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRS20H100CT MNG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS20H100CT MNG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRS20H100CT MNG-FT |
MBR10L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR15100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR15150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1535CT C0G
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MBR1535CTHC0G
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MBR1545CT C0G
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MBR1545CTHC0G
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MBR1550CT C0G
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MBR1550CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
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5SGXMA7H3F35C4
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LFE3-95EA-8FN1156I
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LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
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