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Référence fabricant | MBR10L100CTHC0G |
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Numéro de pièce future | FT-MBR10L100CTHC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBR10L100CTHC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10L100CTHC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR10L100CTHC0G-FT |
UGF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2008G C0G
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UGF2008GHC0G
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MBR20200CT C0G
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MBR20150CT C0G
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TST30L45C C0G
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MBR10150CT C0G
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EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
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XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
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EP20K200CF484C7N
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5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
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A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation