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Référence fabricant | MBRS10H200CT MNG |
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Numéro de pièce future | FT-MBRS10H200CT MNG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRS10H200CT MNG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 970mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS10H200CT MNG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRS10H200CT MNG-FT |
MBR25100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR25150CT C0G
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MBR25150CTHC0G
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MBR2535CT C0G
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MBR2535CTHC0G
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MBR2545CT C0G
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MBR2545CTHC0G
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MBR2550CT C0G
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MBR2550CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
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Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
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5SGXEA7H2F35C1
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LFE2-35SE-5FN672C
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LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
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